Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

Note globale
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

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Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    30 left arrow 35
    Autour de -17% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    21.9 left arrow 9.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    16.3 left arrow 7.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 17000
    Autour de 1.51 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    35 left arrow 30
  • Vitesse de lecture, GB/s
    9.8 left arrow 21.9
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.9 left arrow 16.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    17000 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Timings / Vitesse d'horloge
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2126 left arrow 3650
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons