Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Punteggio complessivo
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Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    30 left arrow 35
    Intorno -17% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    21.9 left arrow 9.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    16.3 left arrow 7.9
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 17000
    Intorno 1.51 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    35 left arrow 30
  • Velocità di lettura, GB/s
    9.8 left arrow 21.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.9 left arrow 16.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    17000 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2126 left arrow 3650
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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