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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB vs SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Note globale
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
39
Autour de 28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
39
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.4
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2354
2359
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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