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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
32
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3279
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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