Porównanie pamięci RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

Wynik ogólny

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 32

Wokół strony 13% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

15.6 12.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.8 7.5

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 8500

Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1066 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1988 3279

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns