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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
32
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
32
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3279
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
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