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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
比較する
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
総合得点
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
32
周辺 13% 低遅延
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.6
12.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.8
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
8500
周辺 2.51 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
32
読み出し速度、GB/s
12.7
15.6
書き込み速度、GB/秒
7.5
12.8
メモリ帯域幅、mbps
8500
21300
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1988
3279
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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