RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
73
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
73
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
1727
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link