RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
70
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
70
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1934
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link