RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Porównaj
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2432
3694
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Strontium SRP2G86U1-S6M 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link