RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2792
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link