RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2792
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link