RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
61
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
61
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2089
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link