RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2654
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link