RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
44
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2725
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link