RAM-Vergleich Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Gesamtnote

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

35 46

Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.0 1,519.2

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 3200

Rund um 5.31 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit

3-3-3-12 / 400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

241 2654

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns