RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2594
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link