RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
36
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3716
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link