RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
104
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
55
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2274
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KQ9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KM9 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link