RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
28
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
28
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3420
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link