RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2263
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link