RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
69
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
54
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2264
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link