RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
25.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
4167
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link