RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
34
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
28
Vitesse de lecture, GB/s
8.6
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
5.8
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1682
3503
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link