RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
34
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
28
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
18.2
Скорость записи, Гб/сек
5.8
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
3503
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link