RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
34
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
28
Vitesse de lecture, GB/s
8.6
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
5.8
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1682
3532
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link