RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
34
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.8
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
30
Vitesse de lecture, GB/s
8.6
20.8
Vitesse d'écriture, GB/s
5.8
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1682
3773
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link