RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
34
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
3773
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link