RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Note globale
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
34
Autour de -36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
25
Vitesse de lecture, GB/s
8.6
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
5.8
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1682
1944
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kllisre 0000 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link