RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
51
Autour de 12% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
51
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2874
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link