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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
51
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
51
读取速度,GB/s
12.3
16.3
写入速度,GB/s
8.0
14.7
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2874
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
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Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Inmos + 256MB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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