Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    26 left arrow 34
    Autour de -31% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    14.2 left arrow 8.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.8 left arrow 5.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 10600
    Autour de 2.01 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    34 left arrow 26
  • Vitesse de lecture, GB/s
    8.6 left arrow 14.2
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    5.8 left arrow 9.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1682 left arrow 2890
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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