RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
34
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
26
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
14.2
Скорость записи, Гб/сек
5.8
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2890
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link