RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
34
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
26
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
14.2
Скорость записи, Гб/сек
5.8
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2890
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link