RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
8.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2206
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link