RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
58
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.1
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
3723
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link