RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Note globale
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
34
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.7
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
27
Vitesse de lecture, GB/s
8.6
12.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.8
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1682
2536
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link