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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
34
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
8.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
5.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
27
Velocità di lettura, GB/s
8.6
12.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.8
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1682
2536
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB Confronto tra le RAM
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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