RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Note globale
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
32
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2329
2942
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link