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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
58
Autour de -76% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
33
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
2806
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
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