RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
58
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2806
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link