RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2329
3596
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link