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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Comparez
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Note globale
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Note globale
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.7
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
41
Autour de -32% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
41
31
Vitesse de lecture, GB/s
10.7
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1335
1304
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparaison des RAM
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Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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