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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
41
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
41
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
9.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
6.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1335
1304
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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