RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
71
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
13.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
3043
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link