RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
71
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
34
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3043
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link