RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
71
Intorno -109% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
34
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
3043
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link