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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Comparar
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.7
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.5
6.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
41
Por volta de -32% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
41
31
Velocidade de leitura, GB/s
10.7
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
6.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1335
1304
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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