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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
92
Por volta de -300% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
23
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
13.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
3171
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
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