RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
92
Wokół strony -300% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3171
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link