RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
92
Около -300% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.2
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3171
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link